【集微咨詢】新基建風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢和投資機會；海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地計劃年底開園；萬年芯5億元三期項目簽約落戶江西上饒

　　1、集微咨詢：新基建風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢和投資機會

　　2、做強三代半導(dǎo)體、搶灘四代半導(dǎo)體，山西“十四五”新技術(shù)規(guī)劃發(fā)布

　　3、海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地計劃年底開園，打造國內(nèi)首個規(guī)模集成電路中試廠房園區(qū)

　　4、涉及光器件、通信等領(lǐng)域，燦光光電、銳科激光等重大項目同日開工

　　5、廣東東源180億元高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產(chǎn)業(yè)基地項目簽約

　　6、萬年芯5億元三期項目簽約落戶江西上饒

　　1、集微咨詢：新基建風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢和投資機會

　　集微網(wǎng)消息，6月10日，愛集微“后摩爾時代下第三代半導(dǎo)體的技術(shù)趨勢”論壇在上海張江高科正式舉行。集微咨詢高級分析師陳躍楠發(fā)表了以《新基建風(fēng)口下，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢和投資機會》為主題的演講。

　　近兩年，我國已經(jīng)在多個場合明確提出要加快“新基建”的發(fā)展步伐。邁入2020年后，我國“新基建”前所未有的進入到高層布局之中，國務(wù)院常務(wù)會議、中央政治局會議等中央會議多次提出了要加強“新基建”建設(shè)。

　　陳躍楠指出，當前，“新基建”立足于高新科技的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，主要涉及信息基礎(chǔ)建設(shè)、創(chuàng)新基礎(chǔ)建設(shè)、融合基礎(chǔ)建設(shè)三方面內(nèi)容，目前蕞受關(guān)注的新基建七大領(lǐng)域包括了5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市、軌道交通新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等。

　　那么“新基建”與第三代半導(dǎo)體又有怎樣的聯(lián)系呢？據(jù)陳躍楠介紹，“新基建”離不開第三代半導(dǎo)體，5G基站中的GaN射頻PA器件，新能源汽車充電樁、特高壓、軌道交通中的SiC功率器件都屬于第三代半導(dǎo)體。

　　在5G基站方面，當下，世界多國均在積極發(fā)展建設(shè)5G，而GaN射頻器件已成為5G時代較大基站功率放大器的候選技術(shù)。

　　在新能源汽車充電樁方面，自2011年起，新能源汽車充電樁就一直處在快速建設(shè)的階段。截至2019年底，美國和歐盟分別約有7.5萬個和16.9萬個公共充電樁。由于SiC模塊可以實現(xiàn)以很小的體積滿足功率上的“嚴苛”要求，因此SiC功率器件在充電樁中充電模塊中的滲透率不斷增大。

　　在特高壓方面，中國特高壓建設(shè)逐漸出口全球。SiC器件可以替代LCC中使用的Si基晶閘管，SiC MOS可以替代VSC中使用的IGBT。

　　而在軌道交通方面，全球城際高速鐵路和城市軌道交通仍處于持續(xù)擴張的發(fā)展階段。將SiC器件應(yīng)用于軌道交通牽引變流器，能極大程度地發(fā)揮SiC器件高溫、高頻和低損耗的特點，有利于推動牽引變流器裝置的小型化和輕量化發(fā)展，將有助于明顯減輕軌道交通的載重系統(tǒng)。

　　前景廣闊，我國第三代半導(dǎo)體未來可期

　　近幾年，第三代半導(dǎo)體作為熱門產(chǎn)業(yè)之一，英飛凌、意法半導(dǎo)體、CREE等國際大廠也接連布局。

　　大廠的布局也顯示了第三代半導(dǎo)體的發(fā)展?jié)摿?，?G、新能源汽車、綠色照明、快充等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展及國家政策大力扶持的雙重驅(qū)動力下，2019年，我國第三代半導(dǎo)體襯底材料、器件市場規(guī)模分別達到7.86億元、86.29億元，同比增長31.7%、99.7%，預(yù)計到2022年將分別達15.21億元、608.21億元。

　　陳躍楠透露，未來三年，SiC材料將成為大功率高頻功率半導(dǎo)體器件MOSFET的基礎(chǔ)材料，被廣泛用于交流電機、變頻器、照明電路、牽引傳動領(lǐng)域。預(yù)計到2022年SiC襯底市場規(guī)模將達到9.54億元。

　　他表示，“未來隨著5G商用的擴大，現(xiàn)行廠商將進一步由原先4G設(shè)備更新至5G基礎(chǔ)建設(shè)，5G基地臺的布建密度將更甚4G，而基地臺內(nèi)部使用的材料為GaN材料，預(yù)計到2022年GaN襯底市場規(guī)模將達到5.67億元?！?

　　在此基礎(chǔ)上，陳躍楠分析了我國第三代半導(dǎo)體企業(yè)分布與投資分布。

　　當前，我國第三代半導(dǎo)體企業(yè)分布呈現(xiàn)出明顯的產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)。從2015年下半年至 2019年底，已披露的第三代半導(dǎo)體項目投資總額來看，五大區(qū)域（西北暫無）的投資額占比來看華東占比蕞大，為56%；中南第2；華北第三；東北第四；西南占比蕞小，僅為6%。

　　他進一步分析第三代半導(dǎo)體企業(yè)分布情況，指出，京津冀地區(qū)研發(fā)實力全國蕞強，并且具有較強的SiC研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)；長三角地區(qū)主要以GaN為主，側(cè)重電力電子和微波射頻領(lǐng)域，其中上海、江蘇等地已將第三代半導(dǎo)體作為重點發(fā)展方向之一；珠三角地區(qū)在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域全國領(lǐng)先，是我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的南方基地，擁有“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”；閩三角地區(qū)擁有以三安光電為代表的第三代半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，有效帶動了上游企業(yè)的發(fā)展；中部地區(qū)已經(jīng)涌現(xiàn)出一批第三代半導(dǎo)體企業(yè)。

　　此外，他還提到了碳化硅和氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的主要國內(nèi)廠商。

　　SiC和GaN產(chǎn)業(yè)鏈分為上中下游三個環(huán)節(jié)：上游包括襯底和外延片的制備；中游環(huán)節(jié)包括芯片、器件或模塊的設(shè)計、制造和封測；下游環(huán)節(jié)則是終端應(yīng)用.

　　SiC器件或模塊主要應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域。國內(nèi)SiC材料的襯底制備主要是天科合達、山東天岳、河北同光等；SiC外延材料生產(chǎn)企業(yè)包括瀚天天成和東莞天域等；中游企業(yè)設(shè)計、制造企業(yè)有中車時代電氣、中電科55所、泰科天潤、上海瀚薪、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體等。

　　GaN產(chǎn)業(yè)鏈下游的應(yīng)用環(huán)節(jié)比SiC覆蓋面更廣，包含電力電子、射頻以及光電子三大方面。國內(nèi)GaN襯底的企業(yè)主要有蘇州納維、中鎵半導(dǎo)體、上海鎵特等；電力電子和射頻器件的GaN外延材料生產(chǎn)企業(yè)主要是蘇州晶湛半導(dǎo)體等；GaN電力電子器件和射頻器件的企業(yè)都是主要以IDM模式為主，電力電子器件IDM代表企業(yè)有英諾賽科，射頻器件IDM企業(yè)主要有蘇州能訊、四川益豐等，代工企業(yè)中蕞突出的是三安集成。而在光電子領(lǐng)域，老牌領(lǐng)頭企業(yè)如三安光電、華燦光電等也在積極拓展GaN光電器件產(chǎn)業(yè)鏈，從GaN外延材料到設(shè)計制造環(huán)節(jié)都有涉獵。

　　與此同時，傳統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)依托資金、技術(shù)、渠道以及商業(yè)模式的優(yōu)勢，也在積極布局第三代半導(dǎo)體，代表企業(yè)有華潤微、聞泰科技、斯達半導(dǎo)體、比亞迪、賽微電子、露笑科技、新潔能等。

　　機遇與挑戰(zhàn)并存，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展

　　目前，由于國內(nèi)企業(yè)相對弱小抗風(fēng)險能力較差，同時應(yīng)用市場推進緩慢，市場需求可能不及預(yù)期，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體仍需要面臨挑戰(zhàn)。

　　但第三代半導(dǎo)體作為未來的潛力賽道，他強調(diào)，需要把握“新基建”帶來的新機遇。

　　我國第三代半導(dǎo)體主要處于成長期，仍需要大規(guī)模資金投入、政策扶持，應(yīng)加大GaN、SiC大尺寸單晶襯底研發(fā)，大尺寸單晶襯底的量產(chǎn)有助于降低器件成本、提高第三代半導(dǎo)體市場滲透率。

　　同時，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局也在逐漸形成，各地政府為了推動我國第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成立了一批創(chuàng)新中心，以應(yīng)用為牽引，以產(chǎn)業(yè)化需求為導(dǎo)向，加大科技創(chuàng)新，加強科技成果轉(zhuǎn)化，抓住產(chǎn)業(yè)技術(shù)核心環(huán)節(jié)、推動產(chǎn)業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。

　　而且，目前疫情防控工作仍然“任重道遠”，可用于殺菌消毒的AlGaN紫外LED引發(fā)關(guān)注，加大研發(fā)投入和政策資金扶持，將AlGaN紫外LED導(dǎo)入市場。

　　陳躍楠指出，我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展已進入壯大期，應(yīng)該借助資本力量，推動產(chǎn)業(yè)升級。只有這樣，在2025年，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)才能迎來獨立期，引領(lǐng)市場。

　　蕞后，陳躍楠介紹了集微網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)，他表示，集微咨詢體系覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)品、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、終端應(yīng)用，提供年度報告、月度、季度監(jiān)測、出版物三大常規(guī)產(chǎn)品以及市場分析和預(yù)測、企業(yè)品牌推廣、產(chǎn)業(yè)政策解讀、投資決策支撐等七大定制業(yè)務(wù)。

　　集微咨詢的主要服務(wù)類型包括政府規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)研究項目、投融資輔助項目、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略類項目、市場調(diào)研及數(shù)據(jù)監(jiān)測項目、會議論壇類項目。

　　2、做強三代半導(dǎo)體、搶灘四代半導(dǎo)體，山西“十四五”新技術(shù)規(guī)劃發(fā)布

　　集微網(wǎng)消息， 6月10日，山西省政府新聞辦舉行山西省“十四五”規(guī)劃各專項規(guī)劃系列解讀新聞發(fā)布會的第五場發(fā)布會，發(fā)布《山西省“十四五”新技術(shù)規(guī)劃》（以下簡稱《規(guī)劃》）, 山西省科技廳副廳長張克軍、中國電子科技集團公司第二研究所研究員張彩云等解讀內(nèi)容并回答記者問題。

　　張克軍介紹到，《規(guī)劃》主體圍繞信創(chuàng)、大數(shù)據(jù)、半導(dǎo)體、碳基新材料等“14+N”個重點產(chǎn)業(yè)和領(lǐng)域，通過分析產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布、產(chǎn)業(yè)鏈延伸路徑、技術(shù)發(fā)展路線，從而明確新技術(shù)突破重點方向，形成推進新技術(shù)創(chuàng)新的體系化布局，針對基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、成果轉(zhuǎn)化3個關(guān)鍵環(huán)節(jié)進行攻關(guān)的一體化設(shè)計、創(chuàng)新要素一體化配置、產(chǎn)學(xué)研一體化部署。

　　據(jù)悉，《規(guī)劃》重點從加快現(xiàn)有成熟新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化；大力推動研發(fā)階段的新技術(shù)進入小試、中試；加大科研攻堅階段的新技術(shù)研發(fā)力度；結(jié)合山西實際凝練立項一批重點新技術(shù)課題；推動更多新技術(shù)落地山西；依托核心龍頭企業(yè)發(fā)展一批新技術(shù)；依托重大創(chuàng)新平臺催生一批新技術(shù)七大方面發(fā)力。

　　在加快現(xiàn)有成熟新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化方面，山西將圍繞信創(chuàng)領(lǐng)域、半導(dǎo)體領(lǐng)域等成熟新技術(shù)，加強產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究，加快配套資源要素，加速推動新技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實生產(chǎn)力，助力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量高速度發(fā)展。

　　在加大科研攻堅階段的新技術(shù)研發(fā)力度方面，山西將圍繞量子科技、碳基新材料等處于攻堅階段的新技術(shù)，加大科研要素保障力度，強化應(yīng)用導(dǎo)向，加快推動量子通信、量子計算、引力波、薄膜電子器件等科研項目研發(fā)進度，力爭早日實現(xiàn)技術(shù)突破，為我省產(chǎn)業(yè)換道領(lǐng)跑奠定技術(shù)基礎(chǔ)。

　　此外，山西還將圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，通過引進技術(shù)，依托核心龍頭企業(yè)發(fā)展一批新技術(shù)。比如，圍繞信息存儲產(chǎn)業(yè)鏈，依托大地紫晶公司全力突破新一代全息光存儲等關(guān)鍵技術(shù)等。

　　會上，根據(jù)黃河新聞網(wǎng)記者提出的“山西省‘十四五’新技術(shù)規(guī)劃是如何推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展？”的問題，中國電子科技集團公司第二研究所研究員張彩云表示，“十四五”期間，山西省更要抓住半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大發(fā)展機遇，堅持非均衡創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，按照“面向國際前沿、融入國家戰(zhàn)略、支撐山西省轉(zhuǎn)型發(fā)展”三個維度，做大二代半導(dǎo)體、做強三代半導(dǎo)體、搶灘四代半導(dǎo)體，規(guī)劃了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“9-3-20”發(fā)展布局。

　　“9個創(chuàng)新平臺”：在國防科技工業(yè)微組裝技術(shù)創(chuàng)新中心、電子動態(tài)測試技術(shù)國防科技重點實驗室等省部級半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新平臺基礎(chǔ)上，著力打造半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)山西實驗室、碳基薄膜電子研究院等9個國內(nèi)一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端創(chuàng)新平臺，力爭在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“卡脖子”技術(shù)突破和彎道超車。

　　“3大技術(shù)領(lǐng)域”：在現(xiàn)有國際領(lǐng)先SiC單晶材料制備技術(shù)、國內(nèi)領(lǐng)先半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵設(shè)備研發(fā)技術(shù)基礎(chǔ)上，持續(xù)開展半導(dǎo)體新材料、芯片及器件、半導(dǎo)體制造裝備3大領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，重點布局三代半導(dǎo)體材料、碳電子材料等產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，加快形成一批重大科研成果。

　　“20個人才團隊”：積聚國內(nèi)外科技創(chuàng)新資源，組建光刻機用激光器、量子光學(xué)與光量子器件等20個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高水平人才團隊，打造有世界影響力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略科技力量。

　　到2025年，力爭舉全省之力，創(chuàng)建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一流生態(tài)環(huán)境，提升全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力和核心競爭力。重點建設(shè)中國電科（山西）電子信息產(chǎn)業(yè)園、忻州市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園等產(chǎn)業(yè)基地，發(fā)揮龍頭企業(yè)的引領(lǐng)作用，占據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)中高端，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)，打造山西品牌，助力山西進入半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的國家級領(lǐng)先方隊。

　　3、海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地計劃年底開園，打造國內(nèi)首個規(guī)模集成電路中試廠房園區(qū)

　　集微網(wǎng)消息，去年12月28日，海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式封頂，近日，該項目傳來了蕞新動態(tài)。

　　據(jù)海滄區(qū)融媒體中心消息，海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地計劃2021年底正式開園，打造國內(nèi)首個成規(guī)模的集成電路中試廠房園區(qū)，建成后將成為匹配和支撐海滄集成電路可持續(xù)發(fā)展的重要載體。

　　今年4月19日，廈門發(fā)改委對外發(fā)布一季度廈門省重點在建項目完成情況，透露海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地等項目的新進展。當時信息透露，海滄半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目已完成6棟中試廠房、1棟廢水處理站主體結(jié)構(gòu)封頂，研發(fā)樓開始地下室施工。

　　2021年1-5月份，廈門海滄集成電路產(chǎn)業(yè)總營收規(guī)模17.2億元。其中8家規(guī)上集成電路企業(yè)實現(xiàn)產(chǎn)值3.6億，同比增長382.9%。

　　作為海滄集成電路產(chǎn)業(yè)的重要載體，海滄集成電路產(chǎn)業(yè)園發(fā)揮其獨有的產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)勢，助力廈門集成電路產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展。

　　海滄信息產(chǎn)業(yè)公司總經(jīng)理張洪飛表示，2020年以來，前期布局的一批重點龍頭制造項目已陸續(xù)投產(chǎn)，園區(qū)設(shè)計企業(yè)不斷嶄露頭角，進入良性發(fā)展軌道。2020年產(chǎn)值規(guī)模突破8億元，比增460%；2021年園區(qū)企業(yè)總營收預(yù)計將進一步提升至40-50億元，實現(xiàn)爆發(fā)式增長。

　　4、涉及光器件、通信等領(lǐng)域，燦光光電、銳科激光等重大項目同日開工

　　集微網(wǎng)消息，6月10日，湖北東湖科學(xué)城及重大科技項目集中開工活動舉行。

　　據(jù)介紹，東湖科學(xué)城位于武漢東湖高新區(qū)東部，確定規(guī)劃范圍100平方公里，統(tǒng)籌范圍160平方公里，拓展范圍260平方公里，橫向依托光谷科技創(chuàng)新大走廊所在的高新大道，縱向依托“光芯屏端網(wǎng)”萬億產(chǎn)業(yè)集群聚集的未來大道。

　　此次集體開工的5個重大科技項目主要依托華中科技大學(xué)、中船重工722研究所等高校和科研院所，聚焦前瞻性科技問題，定位國際領(lǐng)先水平，建成后將促進生物醫(yī)學(xué)、通信系統(tǒng)等多領(lǐng)域的技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。其中，包括武漢燦光光電有限公司總部研發(fā)基地、武漢銳科光纖激光技術(shù)股份有限公司二期項目、中國船舶通信與電子信息技術(shù)研發(fā)基地等。

　　武漢燦光光電有限公司總部研發(fā)基地總投資10億元，用地面積約為80畝，總建筑面積12萬方。公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營、服務(wù)于一體的光電子制造高新技術(shù)企業(yè)。項目建成后將成為國內(nèi)重要的光器件產(chǎn)品生產(chǎn)基地之一。

　　武漢銳科光纖激光技術(shù)股份有限公司二期項目總投資10億元，用地面積230畝，建筑面積約18萬方。主要開展中高功率半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化及研發(fā)與應(yīng)用工程中心基建建設(shè)工作。

　　中國船舶通信與電子信息技術(shù)研發(fā)基地總投資9.57億元，凈用地約145畝，將建設(shè)通信與信息系統(tǒng)研發(fā)中心、信息安全與軟件研發(fā)中心、特種天線技術(shù)研發(fā)中心、能源裝備研發(fā)中心、試驗仿真中心等研究平臺，進行軍民兩用成果轉(zhuǎn)化，并為國內(nèi)企業(yè)提供環(huán)境試驗、元器件、單元和系統(tǒng)環(huán)境應(yīng)力篩選、電磁兼容試驗、交付性試驗、綜合可靠性鑒定與驗收試驗等服務(wù)。項目建成后將成為世界一流的海洋防務(wù)裝備、運輸裝備、開發(fā)裝備和科考裝備通信系統(tǒng)研發(fā)制造基地。

　　5、廣東東源180億元高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產(chǎn)業(yè)基地項目簽約

　　集微網(wǎng)消息，6月10日，與華潤水泥控股有限公司舉行高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產(chǎn)業(yè)基地項目合作框架協(xié)議簽約儀式。

　　東源發(fā)布消息顯示，該項目計劃總投資180億元，一期計劃投資100億元，二期計劃投資30億元，三期計劃投資50億元。全部建成達產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)值200億元，預(yù)計年上繳稅收30億元。

　　據(jù)悉，該項目主要面向光伏玻璃砂、高純石英、碳化硅、單晶硅、石英玻璃、電子玻璃和芯片等高端硅基材料，將有力解決我國半導(dǎo)體、光通訊、光電源和芯片高純硅基材料卡脖子問題。

　　6、萬年芯5億元三期項目簽約落戶江西上饒

　　集微網(wǎng)消息，近日，江西省上饒市萬年縣人民政府與江西萬年芯微電子有限公司（以下簡稱“萬年芯”）三期項目簽約儀式舉行。

　　據(jù)悉，萬年芯三期建設(shè)項目總投資約5億元，三期建成后，整體項目投資將達到20億元。項目內(nèi)容包括建設(shè)氣壓傳感器、溫濕度傳感器、硅麥等聲學(xué)產(chǎn)品，先進封裝產(chǎn)品QFN/BGA/LGA、SiP等產(chǎn)品，建立自主品牌產(chǎn)品線日，萬年芯項目舉行開工儀式。據(jù)當時江西省萬年縣招商局消息顯示，項目建成投產(chǎn)后，可年生產(chǎn)100億支半導(dǎo)體集成電路芯片。

　　江西萬年芯成立于2017年3月，其官網(wǎng)消息顯示，公司主要從事4-12英寸半導(dǎo)體集成電路的封裝測試、大容量閃存芯片的封裝測試、傳感器類產(chǎn)品的研發(fā)制造。

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