3月21日，廣州市發(fā)展和改革委員會(huì)發(fā)布了《廣州市2022年重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃》和《廣州市2022年重點(diǎn)建設(shè)預(yù)備項(xiàng)目計(jì)劃》。其中，涉及多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。計(jì)劃顯示，今年廣東共安排省重點(diǎn)項(xiàng)目1570個(gè)，總投資7.67萬億元，年度計(jì)劃投資9000億元。其中，安排開展前期工作的省重點(diǎn)建設(shè)前期預(yù)備項(xiàng)目1152個(gè)，估算總投資5.88萬億元。今年廣東新開工的重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目中，包括新型基礎(chǔ)設(shè)施、重大發(fā)展平臺(tái)、新一代信息技術(shù)工程、新材料產(chǎn)業(yè)工程等領(lǐng)域的建設(shè)都將有利于推進(jìn)粵港澳大灣區(qū)建設(shè)。

　　今年，廣東將大力推進(jìn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目有關(guān)工程的建設(shè)，共安排產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目691個(gè)。在新一代信息技術(shù)工程上，除廣州粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目二期將進(jìn)行投產(chǎn)外，新開工建設(shè)的26個(gè)項(xiàng)目中，有18個(gè)位于粵港澳大灣區(qū)，包括電子信息、人工智能、新一代移動(dòng)通信、新型顯示面板等產(chǎn)業(yè)。

　　《廣州市2022年重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃》中，粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目二期、廣州華星第8.6代氧化物半導(dǎo)體新型顯示器件生產(chǎn)線項(xiàng)目、廣州國(guó)顯科技有限公司維信諾第6代柔性AMOLED模組生產(chǎn)線項(xiàng)目、廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司電子元器件制造項(xiàng)目（一期）、廣州增芯科技有限公司12英寸先進(jìn)MEMS傳感器及特色工藝晶圓制造量產(chǎn)線項(xiàng)目、志橙半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)制造總部、廣州廣芯半導(dǎo)體封裝基板產(chǎn)品制造項(xiàng)目等項(xiàng)目在列。

　　其中，廣州增芯科技有限公司12英寸先進(jìn)MEMS傳感器及特色工藝晶圓制造量產(chǎn)線億元，建設(shè)國(guó)內(nèi)頭部家專業(yè)定制化12英寸傳感器晶圓廠，打造集研發(fā)、量產(chǎn)制造、封測(cè)與應(yīng)用平臺(tái)。一期頭部階段達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能2萬片/月；一期第二階段達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能擴(kuò)至6萬片/月。

　　粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目二期總投資65億元，新建90-55nm高端模擬工藝生產(chǎn)線英寸晶圓芯片。

　　廣州華星第8.6代氧化物半導(dǎo)體新型顯示器件生產(chǎn)線代氧化物半導(dǎo)體顯示面板生產(chǎn)線及配套模組工廠。主要生產(chǎn)高端車載、醫(yī)療工控、航天航空等專業(yè)顯示面板及Micro-LED新型顯示產(chǎn)品。

　　《重點(diǎn)建設(shè)預(yù)備項(xiàng)目計(jì)劃》包括粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目三期、興森科技FCBGA封裝基板項(xiàng)目、艾佛光通濾波器生產(chǎn)研發(fā)基地、中南高科高端電子信息創(chuàng)新園項(xiàng)目、慧智微上市總部、微波射頻前端芯片研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目、風(fēng)華高科生產(chǎn)制造基地及總部項(xiàng)目、視源股份總部擴(kuò)建項(xiàng)目等。

　　其中，粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目三期總用地面積約12.5萬平方米，生產(chǎn)高端模擬芯片。

　　慧智微上市總部、微波射頻前端芯片研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目占地面積約2.1萬平方米，建設(shè)研發(fā)中心、200萬片/年的射頻芯片快速打板封裝中試線萬顆/年射頻芯片量產(chǎn)測(cè)試生產(chǎn)線。

　　廣州粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目二期，總投資65億元，新建90-55nm高端模擬工藝生產(chǎn)線英寸晶圓芯片。

　　廣納院6英寸聲表面波濾波器產(chǎn)線G通信射頻濾波器中試線項(xiàng)目。

　　廣東盈驊總部和微處理芯片封裝載板項(xiàng)目，總投資9.55億元,總建筑面積約14萬平方米，建設(shè)產(chǎn)業(yè)研發(fā)辦公大樓、廠房，用于半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)。

　　中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司12英寸集成電路生產(chǎn)線億元，建設(shè)一條月產(chǎn)能為4萬片/月的12英寸集成電路生產(chǎn)線納米及以上。

　　深圳市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目，總投資32.7億元，建設(shè)研發(fā)大樓、宿舍樓、晶體廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、氫氣庫、氣體間、化學(xué)品庫等。

　　高端集成電路載板及先進(jìn)封裝基地（一期），總投資21.6億元，建筑面積為26.9萬平方米。建設(shè)廠房、倉庫、辦公樓、水處理中心等。

　　珠海興科半導(dǎo)體有限公司集成電路封裝基板項(xiàng)目，總投資16億元，建設(shè)集成電路封裝基板智能制造工廠，總建筑面積約6.83萬平方米，年產(chǎn)54萬平方米集成電路封裝基板。

　　“順芯城”（容桂）高端芯片產(chǎn)業(yè)園，總投資10.3億元，建筑面積34.61萬平方米，建設(shè)廠房、辦公樓、研發(fā)中心、員工宿舍等。

　　韶華科技年產(chǎn)集成電路及新型顯示器件230億只封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，總投資6.1億元，一期建筑面積約10萬平方米，建設(shè)生產(chǎn)廠房、動(dòng)力站、宿舍等，新建IC、新型顯示器件生產(chǎn)線億只先進(jìn)IC封裝及新型顯示模組5000平方米。

　　惠州TCL集團(tuán)模組整機(jī)一體化智能制造產(chǎn)業(yè)園-華星光電高世代模組子項(xiàng)目，總投資129億元，建設(shè)土地、廠房、宿舍及各附屬建筑工程，安裝機(jī)電、動(dòng)力系統(tǒng)、工藝設(shè)備等。

　　江豐電子濺射靶材及濺射設(shè)備關(guān)鍵部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，總投資5.9億元，建筑面積6.1萬平方米，建設(shè)廠房、宿舍等設(shè)施，項(xiàng)目量產(chǎn)后規(guī)?？蛇_(dá)24萬（枚）年。

　　安世中國(guó)先進(jìn)封測(cè)平臺(tái)及工藝升級(jí)項(xiàng)目，總投資18.08億元，新增產(chǎn)線，從事生產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件及半導(dǎo)體功率器件，年產(chǎn)量78億粒。

　　東莞順絡(luò)新型電子元件及精密陶瓷項(xiàng)目，總投資45億元，建設(shè)先進(jìn)工藝和國(guó)內(nèi)外自動(dòng)化生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)年生產(chǎn)無線萬件。

　　東莞歐菲光電影像產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，總投資54億元，建筑面積約68.17萬平方米，建設(shè)辦公樓、產(chǎn)業(yè) 用房、宿舍樓等。項(xiàng)目建成后將用于光電子器件研發(fā)制造，產(chǎn)品為光電子器件等。

　　廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線。

　　廣州廣芯半導(dǎo)體封裝基板產(chǎn)品制造項(xiàng)目，總投資60億元，建筑面積約33萬平方米，建設(shè)半導(dǎo)體封裝基板產(chǎn)品制造項(xiàng)目，主要產(chǎn)品為FC-BGA、FC-CSP及RF封裝基板。

　　珠海高端射頻及FCBGA封裝載板生產(chǎn)制造項(xiàng)目，總投資17.8億元，建設(shè)生產(chǎn)廠房、綜合樓、宿舍樓等，建設(shè)高標(biāo)準(zhǔn)智能化封裝載板生產(chǎn)基地，共分為三期建設(shè) 。本項(xiàng)目為一期建設(shè)，總建筑面積9.3萬平方米。

　　博敏電子新一代電子信息產(chǎn)業(yè)投資擴(kuò)建項(xiàng)目，總投資30億元，總建筑面積約38萬平方米，建設(shè)廠房、綜合樓和其它配套設(shè)施等。

　　惠州仲愷集成電路半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目，總投資20億元，建設(shè)集成電路、半導(dǎo)體等相關(guān)高精尖電子信息產(chǎn)品的封測(cè)與大數(shù)據(jù)融合的智能制造研發(fā)與生產(chǎn)總基地。

　　東城利揚(yáng)芯片集成電路測(cè)試項(xiàng)目，總投資13.15億元，總建筑面積5.28萬平方米，產(chǎn)品為集成電路晶圓測(cè)試與芯片成品測(cè)試。

　　芯聯(lián)電集成電路材料制造及封測(cè)總部項(xiàng)目，總投資30億元，建設(shè)辦公樓、生產(chǎn)廠房及配套設(shè)施以及集成電路材料生產(chǎn)線、半導(dǎo)體專用材料生產(chǎn)線、沖壓產(chǎn)線、金剛石生產(chǎn)線等。

　　鴻利光電LED新型背光顯示二期項(xiàng)目，總投資20億元，建筑面積15.98萬平方米，研發(fā)生產(chǎn)MiniLED、MicroLED等發(fā)光二極管、半導(dǎo)體器件、照明器件。

　　廣州國(guó)顯科技有限公司維信諾第6代柔性AMOLED模組生產(chǎn)線萬平方米，建設(shè)模組廠房、食堂、綜合動(dòng)力站及配套輔助用房等，配備17條至20條曲面和折疊屏模組生產(chǎn)線萬片顯示模組/年。

　　廣州華星第8.6代氧化物半導(dǎo)體新型顯示器件生產(chǎn)線代氧化物半導(dǎo)體顯示面板生產(chǎn)線及配套模組工廠。生產(chǎn)高端車載、醫(yī)療工控、航天航空等專業(yè)顯示面板及Micro-LED新型顯示產(chǎn)品。

　　深圳第11代超高清新型顯示器件生產(chǎn)線億元，建設(shè)陣列玻璃基板投片量為9萬片/月的第11代超高清新型顯示器件生產(chǎn)線。

　　以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料由于具備禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高、電子飽和速率高等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用到功率半導(dǎo)體器件、日盲紫外探測(cè)器、深紫外發(fā)光等電子器件和光電器件領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體材料展現(xiàn)巨大的市場(chǎng)前景，正成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)，國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

　　碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度，在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車等一些重要領(lǐng)域展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?

　　隨著第三代半導(dǎo)體器件的日益普及和廣泛應(yīng)用，第三代半導(dǎo)體封裝和模塊將向著低損耗、低感量、高功率密度、高散熱性能、高集成度、多功能等方向發(fā)展，未來將衍生出與硅基封裝技術(shù)和產(chǎn)品形式不同的發(fā)展路線，先進(jìn)封裝材料、可靠性技術(shù)都在不斷的發(fā)展提升。

　　封裝是功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)，主要起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。采用合理的封裝結(jié)構(gòu)、合適的封裝材料，以及先進(jìn)的封裝工藝技術(shù)，可以獲得良好的散熱性能，確保高電壓、大電流的功率器件的正常使用，并能在工作環(huán)境下穩(wěn)定可靠地工作。此外，封裝對(duì)于功率器件乃至整個(gè)系統(tǒng)的小型化、高度集成化及多功能化起著關(guān)鍵的作用。為了提高功率半導(dǎo)體器件的性能，必然會(huì)對(duì)封裝提出更高的要求。

　　4月20-21日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、半導(dǎo)體照明網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合勵(lì)展博覽集團(tuán)，在NEPCON China 2022 期間舉辦為期兩天的“2022第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”。我們將依托強(qiáng)大背景及產(chǎn)業(yè)資源，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)推廣、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為科研機(jī)構(gòu)、高校院所、芯片面板及終端制造，上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。大會(huì)將聚焦第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)蕞新進(jìn)展，針對(duì)SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性，硅基氮化鎵功率器件、可靠性測(cè)試等等，邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)研用資多領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)力量，探討蕞新進(jìn)展，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)發(fā)展。

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